Samsung 850 EVO 2.5" 2TB SATA3 MZ-75E2T0B/EU

Samsung 850 EVO 2.5" 2TB SATA3 MZ-75E2T0B/EU

de la 2 933,86 RON 12 oferte
Localizare:
Traseu sugerat:  

Alte oferte pentru produsul

Descrierea produsului
Intern / Extern SSD Intern
Capacitate SSD 2000 GB
Rata maxima de transfer 6 Gbit/s
Format NAND  TLC
Viteza maxima de citire SSD 540 MB/s
Viteza maxima de scriere SSD 520 MB/s
Conectori
SATA3

Dimensiuni

Latime 69.9 mm
Inaltime 7 mm
Adancime 100 mm
Greutate 66 g
Mărime 2,5 inch

Ați găsit greşeli în descrierea produsului? Vă rugăm să ne trimiteți o notificare!

SSD Samsung, 2TB, 850 Evo, retail, SATA3, rata transfer r/w: 540/520 mb/s, 7mm, Samsung Smart Migration Tool Magician softwareCe este 3D V-NAND și care sunt diferențele față de tehnologia actuală?Arhitectura unică și inovatoare Samsung 3D V-NAND pentru memorie flash reprezintă o realizare revoluționară în privința depășirii limitelor de densitate, performanță și durabilitate ale arhitecturii convenționale planare NAND de azi. 3D V-NAND se fabrică prin suprapunerea a 32 de straturi de celule pe verticală în loc de a reduce dimensiunile celulelor și a încerca fixarea acestora într-un spațiu orizontal, obținându-se astfel o densitate mai mare și o performanță superioară într-un spațiu mai mic.  Primul SSD Samsung lume cu 2TB pentru PC-uri clientVa prezentam primul din lume Samsung SSD cu 2TB pentru utilizatorii de acasă - modelul SSD 850 EVO 2TB. Datorită tehnologiei 3D V-NAND, puteți stoca programele și datele împreună pe o unitate. Acest lucru este deosebit de util atunci când aveti un număr mare de fișiere multimedia de mari dimensiuni. Creșteti productivitatea prin timpii de acces rapid de date, ori prin încărcarea rapida a programelor si multitasking confortabil. Bucurați-vă de o performanță mai bună PC și capacitatea de stocare generoasa a acestui SSD. *  Tehnologia TurboWrite optimizează activitățile computerizate de zi cu zi oferind viteze de citire și scriere inegalabileOptimizați experiența dvs. cotidiană de lucru cu calculatorul obținând performanțe de citire / scriere maxime cu ajutorul tehnologiei Samsung TurboWrite. Pe lângă faptul că obțineți o experiență de utilizare cu peste 10% mai bună decât cu 840 EVO*, obțineți și o viteză de scriere aleatorie de 1,9 ori mai mare pentru modelele de 120 / 250 GB**. Modelul 850 EVO oferă cea mai bună performanță din categoria sa la viteza de citire succesivă (540 MB/s) și scriere succesivă (520 MB/s). În plus, beneficiați și de performanță optimizată la citirea / scrierea aleatorie în toate situațiile de utilizare QD pentru sistemele PC client.  *PCmark7 (250 GB ): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO)**Scriere aleatorie (QD 32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO) Durabilitate și fiabilitate garantate, susținute de tehnologia 3D V-NAND Modelul 850 EVO oferă durabilitate și fiabilitate garantate, dublând volumul TBW* în comparație cu generația anterioară 840 EVO**, fiind susținut de o garanție de 5 ani. Prin minimizarea degradării performanței, 850 EVO permite îmbunătățiri susținute ale performanței cu până la 30% mai mult față de modelul 840 EVO, dovedindu-se a fi unul dintre cele mai fiabile dispozitive de stocare***. *TBW: Numărul total de byți scriși (Total Bytes Written)**TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 GB / 1 TB)***Performanță susținută (250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO) > 6.500 IOPS (850 EVO), Performanță măsurată după 12 ore de test „Scriere aleatorie.     Treceți pe banda de circulație rapidă cu modul RAID îmbunătățitAplicația Samsung Magician oferă modul de lucru „Rapid care asigură viteze de procesare a datelor de 2 ori mai mari* la nivelul sistemului prin utilizarea memoriei PC (DRAM) disponibile ca spațiu cache. Cea mai nouă versiune a aplicației Magician a sporit capacitatea maximă de memorie utilizabilă de la 1 GB, în versiunea anterioară 840 EVO, până la 4 GB la noul 850 EVO, în cazul în care există un total de 16 GB memorie DRAM instalată. De asemenea, beneficiați de o performanță de 2 ori mai bună la orice nivel de profunzime a canalului de așteptare. *PCMARK7 RAW (250 GB) : 7.500 > 15.000 (mod Rapid) Lucrați mai mult timp grație eficienței energetice îmbunătățite susținute de 3D V-NAND Modelul 850 EVO asigură o durată a bateriei de notebook semnificativ mai mare cu ajutorul unui controler optimizat pentru 3D V-NAND care permite un consum extrem de economicos de numai 2 mW în modul stand-by. 850 EVO este mai economicos cu 24% în privința consumului de energie decât 840 EVO în timpul operațiilor de scriere* datorită faptului că 3D V-NAND consumă doar jumătate din energia unei unități planare 2D NAND. *Consum (250 GB): 3,2 W (840 EVO) > 2,4 W (850 EVO)   Asigurați-vă datele importante cu ajutorul criptării avansate AES 256850 EVO este dotat cu cel mai nou sistem hardware de criptare integrală a discului. Tehnologia de criptare AES pe 256 de biți asigură datele fără a afecta performanța și corespunde standardelor TCG Opal 2.0. Este, de asemenea, compatibilă și cu Microsoft e-drive IEEE1667; astfel, puteți fi sigur că datele dvs. sunt protejate în permanență.  Protecție împotriva supraîncălzirii cu ajutorul sistemului de înaltă eficiență Dynamic Thermal GuardSistemul Dynamic Thermal Guard al modelului 850 EVO monitorizează și menține în permanență temperatura ideală pentru funcționarea în condiții optime a unității și pentru protejarea integrității datelor. Dacă temperatura crește peste pragul optim, sistemul Thermal Guard reduce automat temperatura pentru a proteja datele și a menține, în același timp, eficiența, computerul dvs. fiind astfel ferit în permanență de riscurile supraîncălzirii.    Evoluați la noul nivel oferit de 850 EVO fără niciun fel de complicațiiÎn trei pași simpli, aplicația Samsung One-stop Install Navigator vă permite să transferați cu ușurință toate datele și aplicațiile de pe unitatea de stocare principală pe 850 EVO. De asemenea, aplicația Samsung Magician vă permite să optimizați și să gestionați sistemul în mod optim pentru unitatea SSD.  Obțineți o soluție integrată de concepție proprie, formată din componente de cea mai înaltă calitateSamsung este singura marcă de unități SSD care proiectează și produce toate componentele în cadrul companiei, asigurând o integrare complet optimizată. Rezultatul – performanță superioară, consum redus de energie cu memorie cache de până la 1 GB LPDDR2 DRAM și eficiență energetică îmbunătățită la nivelul controlerului MEX / MGX.   SPECIFICAŢII TEHNICE MZ-75E2T0Caracteristici generaleUtilizareSisteme PC clientCapacitate2.000 GB, (1 GB = 1 miliard de byți, conform IDEMA) * Capacitatea reală utilizabilă poate fi mai mică (în funcție de modul de formatare, partiționare, sistemul de operare, utilizare sau alți factori). Formă dispozitivFormat: 2,5 inchiInterfațăInterfață SATA 6 Gb/s, compatibilă cu interfața SATA 3 Gb/s și SATA 1,5 Gb/sDimensiuni (L x Î x A)Dimensiuni: 100 x 69,85 x 6,8 mmGreutate (g)Greutate: max. 66 gMemorie de stocareSamsung 3D V-NAND cu 32 de straturiControlerControler MHX SamsungMemorie cacheSamsung 2GB SDRAM DDR3 cu consum redusCaracteristică specialăCompatibilitate TRIMCompatibilitate TRIMCompatibilitate S. M. A. R. T. Compatibilitate S. M. A. R. T. Algoritm de eliberare memorieAlgoritm de eliberare a memoriei automatCompatibilitate criptareCriptare AES pe 256 de biți (clasa 0), TCG / Opal, IEEE1667 (unitate criptată)Compatibilitate WWNCompatibilitate World Wide NameCompatibilitate mod stand-byDaPerformanțăCitire succesivăPână la 540 MB/s citire succesivă. *Performanța poate varia în funcție de echipamentul hardware al sistemului și configurare. Scriere succesivăPână la 520 MB/s scriere succesivă. *Performanța poate varia în funcție de echipamentul hardware al sistemului și configurare. Citire aleatorie (4 KB, QD 32)Până la 98.000 IOPS citire aleatorie. *Performanța poate varia în funcție de echipamentul hardware al sistemului și configurare. Scriere aleatorie (4 KB, QD 32)Până la 90.000 IOPS scriere aleatorie. *Performanța poate varia în funcție de echipamentul hardware al sistemului și configurare. Citire aleatorie (4 KB, QD 1)Până la 10.000 IOPS citire aleatorie. *Performanța poate varia în funcție de echipamentul hardware al sistemului și configurare. Scriere aleatorie (4 KB, QD 1)Până la 40.000 IOPS scriere aleatorie. *Performanța poate varia în funcție de echipamentul hardware al sistemului și configurare. MediuConsum mediu de energie (la nivelul sistemului)*Mediu: 4,7 W *Maxim: 7,2 W (mod Burst) *Consumul efectiv de energie poate varia în funcție de echipamentul hardware al sistemului și configurare. Consum de energie (pasiv)Max. 60 mW *Consumul efectiv de energie poate varia în funcție de echipamentul hardware al sistemului și configurare. Tensiune admisibilăTensiune admisibilă: 5 V ± 5%Fiabilitate (MTBF – medie a timpilor de bună funcționare)Fiabilitate 1,5 milioane de ore (MTBF)Temperatura de funcționareTemperatura de funcționare: 0 - 70 °CȘoc1.500 G și 0,5 ms (semiundă sinusoidală)SoftwareSoftware de gestionareSoftware Magician pentru gestionarea unității SSDGaranțieGaranție5 ani garanție limitată sau garanție limitată 150 TB TBW      
Denumiri similare la Solid State Drive SSD Samsung 850 EVO 2.5" 2TB SATA3 MZ-75E2T0B/EU: 850 EVO 2 5 2 TB SATA 3 MZ 75 E 2 T 0 B EU, 850EVO252TBSATA3MZ75E2T0BEU, 850 EVO 2.5" 2TB SATA3 MZ 75E2T0B/EU, 850EVO252TBSATA3MZ-75E2T0BEU, 850 EVO 2.5" 2TB SATA3 MZ-75E2T0B/ EU
Păreri
Intrebari&Raspunsuri

Prețurile și informațiile de pe paginile noastre sunt furnizate de magazinele partenere și au caracter informativ, unele erori pot apărea. Imaginile produselor au caracter informativ, uneori pot include niște accesorii care nu sunt mereu incluse în pachetul de baza. Informațiile aferente produsului (imagine, descriere, preț) se pot schimba fără notificare prealabilă. Compari.ro nu își asumă responsabilitate pentru eventualele greșeli.

^